RQ1E070RPTR دیتاشیت

RQ1E070RPTR

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت RQ1E070RPTR
حجم فایل 69.472 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 14

مشاهده دیتاشیت RQ1E070RPTR-Isee

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: P Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: ROHM Semicon RQ1E070RPTR
  • Power Dissipation (Pd): 550mW
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 26nC@5V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 30V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 2700pF@10V
  • Continuous Drain Current (Id): 7A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 2.5V@1mA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 17mΩ@7A,10V
  • Package: TSMT-8
  • Manufacturer: ROHM Semicon

محصولات مشابه